КТ9182А
Транзисторная сборка КТ9182А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Основные технические характеристики транзистора КТ9182А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 300 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 24 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мА (55В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 860 МГц
Транзисторная сборка КТ9182А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных двухтактных усилителях мощности в режиме класса «АВ» в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.
Основные технические характеристики транзистора КТ9182А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 300 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 24 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мА (55В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 860 МГц