КТ9156БС
Транзисторная сборка КТ9156БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 650-1000 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-44
Основные технические характеристики транзистора КТ9156БС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 94 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 66 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ на частоте 1 ГГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1 ГГц
Транзисторная сборка КТ9156БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 650-1000 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-44
Основные технические характеристики транзистора КТ9156БС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 94 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 66 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ на частоте 1 ГГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1 ГГц