КТ9150А
Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 25 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-81.
Технические условия: АДБК.432153.008 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ9150А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 42 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8,5 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 860 МГц
Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 25 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-81.
Технические условия: АДБК.432153.008 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ9150А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 42 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8,5 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 860 МГц
