КТ9147АС
Транзисторная сборка КТ9147АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса С в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 200...400 МГц при напряжении питания 28 В.
В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-82.

Основные технические характеристики КТ9147АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 233 Вт;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 29 А;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 160 Вт на частоте 400 МГц.