2Т9136АС
Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Технические условия: аА0.339.804 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9136АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 250 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 140 мА (60В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 260 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 500 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса сборки не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Технические условия: аА0.339.804 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9136АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 250 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 140 мА (60В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 260 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 500 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
