2ТС613Б
Транзисторные матрицы 2ТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
Технические условия: Я53.456.000 ТУ.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б:
• Структура транзисторной сборки: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 100 нс
Транзисторные матрицы 2ТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса матрицы не более 4 г.
Технические условия: Я53.456.000 ТУ.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б:
• Структура транзисторной сборки: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 100 нс
