2Д231Г
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231Г:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц