КД271Г
Диод КД271Г кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: ТО-220АС, ТО-220АВ.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Основные технические характеристики диода КД271Г:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 600 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,85 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 100 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диод КД271Г кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: ТО-220АС, ТО-220АВ.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Основные технические характеристики диода КД271Г:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 600 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,85 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 100 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ