КД269Б
Диод КД269Б кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и т. п.
Тип корпуса: ТО-220АС, ТО-220АВ.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Основные технические характеристики диода КД269Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 300 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,75 В при Inp 5 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 25 В
Диод КД269Б кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и т. п.
Тип корпуса: ТО-220АС, ТО-220АВ.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Основные технические характеристики диода КД269Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 300 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,75 В при Inp 5 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 25 В