2Д2999Б
Диоды 2Д2999Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.422 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2999Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс