2Д2998В
Диоды 2Д2998В кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 6 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.369 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2998В:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 35 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• fд - Рабочая частота диода: 10... 200 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,68 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 20 мА при Uoбp 25 В