КД503Б
Диоды КД503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.  
Технические условия: ТТ3.362.088 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ