Диоды 2Д509А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,25 г.
Тип корпуса: КД-3.
Технические условия: ТТ3.362.077 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д509А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ