2Д504А
Диоды 2Д504А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Технические условия: ТТ3.362.045 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д504А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ