Диоды 2Д419В кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ