2Д919А
Диодные матрицы, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Диодные матрицы, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.