КДШ2968ВС
Набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для работы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей.
технические условия: АДБК.432120.936 ТУ.
Изготавливаются в коpпусах КТ-28-2 (ТО-220AB).
Основные технические характеристики диода КДШ2968ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 15А;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 2х15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 2х15 А;
• Сд - Общая емкость: 900 пФ при Uoбp 5 В
Набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для работы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей.
технические условия: АДБК.432120.936 ТУ.
Изготавливаются в коpпусах КТ-28-2 (ТО-220AB).
Основные технические характеристики диода КДШ2968ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 15А;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 2х15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 2х15 А;
• Сд - Общая емкость: 900 пФ при Uoбp 5 В