КД637ЕС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ЕС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-218.
Технические условия: АДБК.432120.612 ТУ.
Основные технические характеристики диода КД637ЕС:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 800 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 25 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,6 В при Inp 25 А
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ЕС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-218.
Технические условия: АДБК.432120.612 ТУ.
Основные технические характеристики диода КД637ЕС:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 800 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 25 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,6 В при Inp 25 А