КД273ДС
Диод КД273ДС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: АДБК.432120.385ТУ.
Основные технические характеристики диода КД273ДС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 150 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,05 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диод КД273ДС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: АДБК.432120.385ТУ.
Основные технические характеристики диода КД273ДС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 150 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,05 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ