КД271ЕС
Диодная сборка КД271ЕС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.382 ТУ.
Основные технические характеристики диода КД271ЕС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2000 мкА при Uoбp 200 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диодная сборка КД271ЕС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.382 ТУ.
Основные технические характеристики диода КД271ЕС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2000 мкА при Uoбp 200 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ