КД271ГС
Диодная сборка КД271ГС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.382 ТУ.
Основные технические характеристики диода КД271ГС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 600 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,85 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 100 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диодная сборка КД271ГС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.382 ТУ.
Основные технические характеристики диода КД271ГС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 600 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,85 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 100 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ