КД268БС
Диод КД268БС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и т. п.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.380 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД268БС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 3 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,75 В при Inp 3 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 50 В