2Д803АС9
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов.
2Д803АС9 предназначены для использования в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.
Маркируются буквами НС.
Тип корпуса: КД-46А.
Технические условия: аА0.339.471 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д803АС-9:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ