3А755Р
СВЧ диоды 3А755Р полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна.
Предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах сантиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре.
Полярность - катодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-109.
Технические условия: аА0.339.677 ТУ.