Диоды 2А503Б кремниевые, сплавные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами.
Тип диода приводится на индивидуальной и групповой таре.
Масса диода не более 0,00214 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А503А, ТР3.360.059 ТУ.

Основные технические параметры СВЧ диода 2А503Б:
• Прямое напряжение: не более 0,3 В;
• Прямое сопротивление потерь: не более 5 Ом;
• Время прямого восстановления: не более 6 мкс;
• Время обратного восстановления: не более 60 мкс;
• Емкость структуры: 0,330...0,425 пФ;
• Непрерывная рассеиваемая мощность: 1 Вт;
• Импульсная рассеиваемая мощность: 1 кВт;
• Значение допустимого статического потенциала: 2000 В;
• Температура перехода: +125°С;
• Температура окружающей среды: -60...+125°С;
• Минимальная наработка: 1000 ч;
• Срок сохраняемости: 12 лет