3А530А
Диоды 3А530А арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, СВЧ, импульсные.
Предназначены для преобразования импульсных сигналов пико и наносекундного диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Диаметр положительного (анодного) вывода 3,7 мм.
Тип диода приводится на групповой таре.
Тип корпуса: КД-106.
Масса диода не более 0,2 г.
Основные технические параметры СВЧ диода 3А530А:
• Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В;
• Постоянный обратный ток: не более 20 мкА;
• Общая емкость: 1 пФ;
• Постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Средний прямой ток: не более 10 мА;
• Импульсный прямой ток: не более 50 мА;
• Температура окружающей среды: -60...+85 °С
Диоды 3А530А арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, СВЧ, импульсные.
Предназначены для преобразования импульсных сигналов пико и наносекундного диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Диаметр положительного (анодного) вывода 3,7 мм.
Тип диода приводится на групповой таре.
Тип корпуса: КД-106.
Масса диода не более 0,2 г.
Основные технические параметры СВЧ диода 3А530А:
• Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В;
• Постоянный обратный ток: не более 20 мкА;
• Общая емкость: 1 пФ;
• Постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Средний прямой ток: не более 10 мА;
• Импульсный прямой ток: не более 50 мА;
• Температура окружающей среды: -60...+85 °С