3А529АР
Диоды 3А529АР арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, СВЧ, импульсные, одиночные 3А529А, 3А529Б и подобранные в пары 3А529АР, 3А529БР.
Предназначены для преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: КД-104.
Диаметр положительного (анодного) вывода 3,7 мм.
Тип диода приводится на групповой таре.
Подобранные для работы в парах диоды 3А529АР, 3А529БР имеют парную, упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,1 г.
Основные технические параметры СВЧ диода 3А529АР:
• Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В;
• Постоянный обратный ток: не более 50 мкА;
• Общая емкость: 0,4 пФ;
• Дифференциальное сопротивление: не более 70 Ом;
• Постоянное обратное напряжение: 5 В;
• Средний прямой ток: не более 2 мА;
• Импульсный прямой ток: не более 5 мА;
• Импульсная рассеиваемая мощность: 0,5 мВт;
• Температура окружающей среды: -60...+85 °С
Диоды 3А529АР арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, СВЧ, импульсные, одиночные 3А529А, 3А529Б и подобранные в пары 3А529АР, 3А529БР.
Предназначены для преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазонов.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: КД-104.
Диаметр положительного (анодного) вывода 3,7 мм.
Тип диода приводится на групповой таре.
Подобранные для работы в парах диоды 3А529АР, 3А529БР имеют парную, упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,1 г.
Основные технические параметры СВЧ диода 3А529АР:
• Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В;
• Постоянный обратный ток: не более 50 мкА;
• Общая емкость: 0,4 пФ;
• Дифференциальное сопротивление: не более 70 Ом;
• Постоянное обратное напряжение: 5 В;
• Средний прямой ток: не более 2 мА;
• Импульсный прямой ток: не более 5 мА;
• Импульсная рассеиваемая мощность: 0,5 мВт;
• Температура окружающей среды: -60...+85 °С