Диоды 2А522А-2 кремниевые, планарно-эпитаксиальные, ограничительные.
Предназначены для применения в устройствах ограничения и стабилизации СВЧ-мощности, защиты входных цепей приемников сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип прибора приводится на этикетке.
Масса прибора не более 0,004 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А522А-2, ТТ0.360.019 ТУ;
диод СВЧ КА522А-2, аА0.336.324 ТУ.
Основные технические параметры СВЧ диода 2А522А-2:
• Постоянный прямой ток: не более 100 мА;
• Постоянное обратное напряжение: не более 5 В;
• Накопленный заряд диода: не более 10 нКл;
• Общая емкость диода: не более 0,75 пФ;
• Значение допустимого статического потенциала: 10 В;
• Непрерывная рассеиваемая мощность: не более 0,3 мВт;
• Импульсная рассеиваемая мощность: не более 40 мВт;
• Температура окружающей среды: -60...+125 °С;
• Минимальная наработка: 10000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
Предназначены для применения в устройствах ограничения и стабилизации СВЧ-мощности, защиты входных цепей приемников сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип прибора приводится на этикетке.
Масса прибора не более 0,004 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А522А-2, ТТ0.360.019 ТУ;
диод СВЧ КА522А-2, аА0.336.324 ТУ.
Основные технические параметры СВЧ диода 2А522А-2:
• Постоянный прямой ток: не более 100 мА;
• Постоянное обратное напряжение: не более 5 В;
• Накопленный заряд диода: не более 10 нКл;
• Общая емкость диода: не более 0,75 пФ;
• Значение допустимого статического потенциала: 10 В;
• Непрерывная рассеиваемая мощность: не более 0,3 мВт;
• Импульсная рассеиваемая мощность: не более 40 мВт;
• Температура окружающей среды: -60...+125 °С;
• Минимальная наработка: 10000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет