Диоды СВЧ 2А518Б-4 кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на кристаллодержателе.
Тип диода приводится на таре. Отрицательный электрод на кристаллодержателе.
Масса диода не более 0,4 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А518Б-4, ГР3.360.098 ТУ.
Основные технические параметры СВЧ диода 2А518Б-4:
• Критическая частота переключения диода: не менее 90 ГГц;
• Постоянный прямой ток: не более 500 мА;
• Постоянное обратное напряжение: не более 200 В;
• Пробивное напряжение: 400 В;
• Накопленный заряд диода: не более 200 нКл;
• Прямое сопротивление потерь: не более 2 Ом;
• Общая емкость диода: не более 0,8 пФ;
• Температура окружающей среды: -60...+85 °С;
• Минимальная наработка: 25000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на кристаллодержателе.
Тип диода приводится на таре. Отрицательный электрод на кристаллодержателе.
Масса диода не более 0,4 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А518Б-4, ГР3.360.098 ТУ.
Основные технические параметры СВЧ диода 2А518Б-4:
• Критическая частота переключения диода: не менее 90 ГГц;
• Постоянный прямой ток: не более 500 мА;
• Постоянное обратное напряжение: не более 200 В;
• Пробивное напряжение: 400 В;
• Накопленный заряд диода: не более 200 нКл;
• Прямое сопротивление потерь: не более 2 Ом;
• Общая емкость диода: не более 0,8 пФ;
• Температура окружающей среды: -60...+85 °С;
• Минимальная наработка: 25000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
