Диоды СВЧ 2А517А-2 кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами.
Тип диода приводится на этикетке.
Положительный электрод имеет гибкий вывод.
Масса диода не более 0,0016 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А517А-2, ТТ0.336.028 ТУ;
диод СВЧ КА517А-2, ТТ3.360.075 ТУ.
Основные технические параметры СВЧ диода 2А517А-2:
• Критическая частота переключения диода: не менее 75 ГГц;
• Непрерывная рассеиваемая мощность: 0,5 Вт;
• Постоянный прямой ток: не более 100 мА;
• Постоянное обратное напряжение: не более 150 В;
• Пробивное напряжение: 300 В;
• Накопленный заряд диода: не более 5 нКл;
• Прямое сопротивление потерь: не более 5 Ом;
• Общая емкость диода: не более 0,3 пФ;
• Температура окружающей среды: -60...+125 °С;
• Минимальная наработка: 5000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами.
Тип диода приводится на этикетке.
Положительный электрод имеет гибкий вывод.
Масса диода не более 0,0016 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А517А-2, ТТ0.336.028 ТУ;
диод СВЧ КА517А-2, ТТ3.360.075 ТУ.
Основные технические параметры СВЧ диода 2А517А-2:
• Критическая частота переключения диода: не менее 75 ГГц;
• Непрерывная рассеиваемая мощность: 0,5 Вт;
• Постоянный прямой ток: не более 100 мА;
• Постоянное обратное напряжение: не более 150 В;
• Пробивное напряжение: 300 В;
• Накопленный заряд диода: не более 5 нКл;
• Прямое сопротивление потерь: не более 5 Ом;
• Общая емкость диода: не более 0,3 пФ;
• Температура окружающей среды: -60...+125 °С;
• Минимальная наработка: 5000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
